Hochschulschrift
Wachstum von OEIC-Schichtstrukturen im System InP, InGaAsP mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE)
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783183264094
3183264099
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
XIII, 158 S.
- Ausgabe
-
Als Ms. gedr.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss.
- Erschienen in
-
Fortschrittberichte VDI / 9 / Verein Deutscher Ingenieure ; Nr. 264, Reihe 9
- Schlagwort
-
Indiumarsenid
Galliumarsenid
Galliumphosphid
Indiumphosphid
Schichtwachstum
MOCVD-Verfahren
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:48 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Eisenbach, Andreas
- VDI-Verl.
Entstanden
- 1997
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