Hochschulschrift
Application of time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS) for high performance depth profiling of semiconductor materials
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
82 S.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Münster (Westfalen), Univ., Diss., 1997 (Nicht für den Austausch)
- Schlagwort
-
Siliciumhalbleiter
Dotierung
Tiefenprofilmessung
Sekundärionen-Massenspektrometrie
Flugzeitmassenspektrometrie
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 11:42 MEZ
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Objekttyp
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Beteiligte
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