Hochschulschrift
Laterally diffused metal oxide semiconductor transistors on ultra-thin single-crystalline silicon
- Weitere Titel
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Lateral Diffundierte Metall-Oxid-Halbleiter (LDMOS)-Transistor-Strukturen auf ultra-dünnem Mono-Kristall-Silizium
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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Stuttgart, Universität Stuttgart, Diss., 2011
- Klassifikation
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Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
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MOS-FET ; LDD-Transistor
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
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Stuttgart
- (wer)
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Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart
- (wann)
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2011
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
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Burghartz, Joachim
- URN
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urn:nbn:de:bsz:93-opus-67137
- Rechteinformation
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Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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25.03.2025, 13:51 MEZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Asif, Ali
- Burghartz, Joachim
- Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart
Entstanden
- 2011