Hochschulschrift

Laterally diffused metal oxide semiconductor transistors on ultra-thin single-crystalline silicon

Weitere Titel
Lateral Diffundierte Metall-Oxid-Halbleiter (LDMOS)-Transistor-Strukturen auf ultra-dünnem Mono-Kristall-Silizium
Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Stuttgart, Universität Stuttgart, Diss., 2011

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
MOS-FET ; LDD-Transistor

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Stuttgart
(wer)
Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart
(wann)
2011
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Burghartz, Joachim

URN
urn:nbn:de:bsz:93-opus-67137
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:51 MEZ

Datenpartner

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Asif, Ali
  • Burghartz, Joachim
  • Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart

Entstanden

  • 2011

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