Quasi van der Waals Epitaxy of Single Crystalline GaN on Amorphous SiO 2/Si (100) for Monolithic Optoelectronic Integration

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
Quasi van der Waals Epitaxy of Single Crystalline GaN on Amorphous SiO 2/Si (100) for Monolithic Optoelectronic Integration ; day:22 ; month:03 ; year:2024 ; extent:10
Advanced science ; (22.03.2024) (gesamt 10)

Urheber
Liang, Dongdong
Jiang, Bei
Liu, Zhetong
Chen, Zhaolong
Gao, Yaqi
Yang, Shenyuan
He, Rui
Wang, Lulu
Ran, Junxue
Wang, Junxi
Gao, Peng
Li, Jinmin
Liu, Zhongfan
Sun, Jingyu
Wei, Tongbo

DOI
10.1002/advs.202305576
URN
urn:nbn:de:101:1-2024032313275673462132
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:53 MESZ

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Beteiligte

  • Liang, Dongdong
  • Jiang, Bei
  • Liu, Zhetong
  • Chen, Zhaolong
  • Gao, Yaqi
  • Yang, Shenyuan
  • He, Rui
  • Wang, Lulu
  • Ran, Junxue
  • Wang, Junxi
  • Gao, Peng
  • Li, Jinmin
  • Liu, Zhongfan
  • Sun, Jingyu
  • Wei, Tongbo

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