High-transconductance graphene solution-gated field effect transistors

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: Applied Physics Letters 99.3 (2011): 05.11.2012

Klassifikation
Physik
Schlagwort
-

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Erlangen
(wer)
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
(wann)
2012
Beteiligte Personen und Organisationen
Hess, L. H.
Hauf, M. V.
Seifert, M.
Speck, Florian
Seyller, Thomas
Stutzmann, M.
Sharp, I. D.
Garrido, J. A.

URN
urn:nbn:de:bvb:29-opus-37783
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
25.03.2025, 13:41 MEZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Hess, L. H.
  • Hauf, M. V.
  • Seifert, M.
  • Speck, Florian
  • Seyller, Thomas
  • Stutzmann, M.
  • Sharp, I. D.
  • Garrido, J. A.
  • Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)

Entstanden

  • 2012

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