Hochschulschrift
Nichtkonventionelle Kurzzeit-Temperverfahren zur Modifizierung der strukturellen und elektrischen Eigenschaften von Silizium
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
74 S., 8 Bl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Berlin, Akad. d. Wiss. d. DDR, Diss. B, 1986 (Nicht f.d. Austausch)
- Schlagwort
-
Halbleiterbauelemente
Silizium
Halbleiterbauelement
Silicium
- Urheber
-
Klabes, Roland
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:27 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Klabes, Roland
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