TGL, 1977-34165. Halbleiterbauelemente - Germanium-pnp-HF-Transistoren - GT 322 A, B, W - Technische Bedingungen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource, 9 Seiten
- Sprache
-
Deutsch
- Erschienen in
-
TGL
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Frankfurt am Main, Leipzig
- (wer)
-
Deutsche Nationalbibliothek
- (wann)
-
2022
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2022081408221747390021
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:43 MEZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Deutsche Nationalbibliothek
Entstanden
- 2022
Ähnliche Objekte (12)
Germanium-Spitzendioden und Transistoren
Technologie Ge-HF-Transistor
Technologie Ge-HF-Transistors
Ge-HF-Transistoren in Planartechnologie
Abschlussbericht HF-Transistor 100 MHz
Advanced modeling of Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors
Transistoren und Module für HF-Anwendungen
Silizium-Germanium-Hetero-Bipolar-Transistoren für die Hochfrequenz : Technologie + Simulation
Experimental studies on germanium-tin p-channel tunneling field effect transistors
Schaltungen mit Halbleiterbauelementen, Bd. 3.. Beispiele mit Germanium- und Silizium-Transistoren
Schaltungen mit Halbleiterbauelementen, Bd. 3.. Beispiele mit Germanium- und Silizium-Transistoren
Neue Verbindungen mit Germanium-Germanium- und Germanium-Kohlenstoff-Mehrfachbindungen
Germanium-Spitzendioden und Transistoren
Technologie Ge-HF-Transistor
Technologie Ge-HF-Transistors
Ge-HF-Transistoren in Planartechnologie
Abschlussbericht HF-Transistor 100 MHz
Advanced modeling of Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors
Transistoren und Module für HF-Anwendungen
Silizium-Germanium-Hetero-Bipolar-Transistoren für die Hochfrequenz : Technologie + Simulation
Experimental studies on germanium-tin p-channel tunneling field effect transistors
Schaltungen mit Halbleiterbauelementen, Bd. 3.. Beispiele mit Germanium- und Silizium-Transistoren
Schaltungen mit Halbleiterbauelementen, Bd. 3.. Beispiele mit Germanium- und Silizium-Transistoren
Neue Verbindungen mit Germanium-Germanium- und Germanium-Kohlenstoff-Mehrfachbindungen
Germanium-Spitzendioden und Transistoren
Technologie Ge-HF-Transistor
Technologie Ge-HF-Transistors
Ge-HF-Transistoren in Planartechnologie
Abschlussbericht HF-Transistor 100 MHz
Advanced modeling of Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors
Transistoren und Module für HF-Anwendungen
Silizium-Germanium-Hetero-Bipolar-Transistoren für die Hochfrequenz : Technologie + Simulation
Experimental studies on germanium-tin p-channel tunneling field effect transistors
Schaltungen mit Halbleiterbauelementen, Bd. 3.. Beispiele mit Germanium- und Silizium-Transistoren
Schaltungen mit Halbleiterbauelementen, Bd. 3.. Beispiele mit Germanium- und Silizium-Transistoren