Core-insulator embedded nanosheet field-effect transistor for suppressing device-to-device variations

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
1 Online-Ressource.
Sprache
Englisch

Erschienen in
Core-insulator embedded nanosheet field-effect transistor for suppressing device-to-device variations ; volume:14 ; number:1 ; day:29 ; month:3 ; year:2024 ; pages:1-7 ; date:12.2024
Scientific reports ; 14, Heft 1 (29.3.2024), 1-7, 12.2024

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik

Urheber
Son, Donghwi
Lee, Hyunwoo
Kim, Hyunsoo
Ahn, Jae-Hyuk
Kim, Sungho
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1038/s41598-024-58081-z
URN
urn:nbn:de:101:1-2406170942431.773903803513
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:48 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Son, Donghwi
  • Lee, Hyunwoo
  • Kim, Hyunsoo
  • Ahn, Jae-Hyuk
  • Kim, Sungho
  • SpringerLink (Online service)

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