Core-insulator embedded nanosheet field-effect transistor for suppressing device-to-device variations
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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1 Online-Ressource.
- Sprache
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Englisch
- Erschienen in
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Core-insulator embedded nanosheet field-effect transistor for suppressing device-to-device variations ; volume:14 ; number:1 ; day:29 ; month:3 ; year:2024 ; pages:1-7 ; date:12.2024
Scientific reports ; 14, Heft 1 (29.3.2024), 1-7, 12.2024
- Klassifikation
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Elektrotechnik, Elektronik
- Urheber
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Son, Donghwi
Lee, Hyunwoo
Kim, Hyunsoo
Ahn, Jae-Hyuk
Kim, Sungho
- Beteiligte Personen und Organisationen
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SpringerLink (Online service)
- DOI
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10.1038/s41598-024-58081-z
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2406170942431.773903803513
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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14.08.2025, 10:48 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Son, Donghwi
- Lee, Hyunwoo
- Kim, Hyunsoo
- Ahn, Jae-Hyuk
- Kim, Sungho
- SpringerLink (Online service)