Hochschulschrift
Untersuchung tiefer Störstellen an Grenzflächen in GaAs-Bauelementen unter Einsatz von Photokapazität und Photo-Feldeffekttransistor-Messungen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
141 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Duisburg, Gesamthochsch., Diss., 1983
- Schlagwort
-
Halbleiterbauelemente
Galliumarsenid
Halbleiterbauelement
Galliumarsenid
- Urheber
-
Tegude, Franz-Josef
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:09 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Tegude, Franz-Josef
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