Trap‐Assisted Memristive Switching in HfO 2 ‐Based Devices Studied by In Situ Soft and Hard X‐Ray Photoelectron Spectroscopy
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Erschienen in
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Trap‐Assisted Memristive Switching in HfO 2 ‐Based Devices Studied by In Situ Soft and Hard X‐Ray Photoelectron Spectroscopy ; day:24 ; month:04 ; year:2023 ; extent:17
Advanced electronic materials ; (24.04.2023) (gesamt 17)
- Urheber
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Zahari, Finn
Marquardt, Richard
Kalläne, Matthias
Gronenberg, Ole
Schlueter, Christoph
Matveyev, Yury
Haberfehlner, Georg
Diekmann, Florian
Nierhauve, Alena
Buck, Jens
Hanff, Arndt
Kolhatkar, Gitanjali
Kothleitner, Gerald
Kienle, Lorenz
Ziegler, Martin
Carstensen, Jürgen
Rossnagel, Kai
Kohlstedt, Hermann
- DOI
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10.1002/aelm.202201226
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2023042515245933284593
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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14.08.2025, 10:01 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Zahari, Finn
- Marquardt, Richard
- Kalläne, Matthias
- Gronenberg, Ole
- Schlueter, Christoph
- Matveyev, Yury
- Haberfehlner, Georg
- Diekmann, Florian
- Nierhauve, Alena
- Buck, Jens
- Hanff, Arndt
- Kolhatkar, Gitanjali
- Kothleitner, Gerald
- Kienle, Lorenz
- Ziegler, Martin
- Carstensen, Jürgen
- Rossnagel, Kai
- Kohlstedt, Hermann