Hochschulschrift
Photoelektrochemische Ätz- und Oxidationstechnik für AlGaN und Anwendung in Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Hannover, Univ., Diss., 2004
- Klassifikation
-
Physik
- Schlagwort
-
Aluminiumnitrid
Galliumnitrid
Epitaxieschicht
Modifizierung
Fotoelektrochemie
Feldeffekttransistor
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:gbv:089-4905348484
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2024, 07:23 MESZ
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Objekttyp
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