Electron-Hole Interference in an Inverted-Band Semiconductor Bilayer

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
In: Physical Review X ; 10 (2020), 3. - 031007. - American Physical Society (APS). - eISSN 2160-3308

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Konstanz
(wer)
KOPS Universität Konstanz
(wann)
2020
Urheber

URN
urn:nbn:de:bsz:352-2-12512okbuq18h5
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:23 MESZ

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Beteiligte

Entstanden

  • 2020

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