Electrons and holes in InSb under crossed magnetic and stress fields. 4, Stimulated Raman scattering in the valence bands
- Sprache
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Englisch
- Umfang
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Online-Ressource
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Erschienen in
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In: Physical review, B 37 (1988), S. 10264-10268. URL http://dx.doi.org./10.1103/PhysRevB.37.10256
- Schlagwort
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Halbleiter ; Stimulierter Raman-Effekt ; Valenzband
- Klassifikation
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Physik
- Beteiligte Personen und Organisationen
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
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Stuttgart
- (wer)
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Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart
- (wann)
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2016
- URN
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urn:nbn:de:bsz:93-opus-104793
- Rechteinformation
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Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:45 MEZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Wolfstädter, Bernd
- Trebin, Hans-Rainer
- Pascher, Harald
- Häfele, Hans-Georg
- Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart
Entstanden
- 2016