Hochschulschrift

Gas phase growth of compounds semiconductors

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
186 S.
Sprache
Englisch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Braunschweig, Techn. Univ., Habil.-Schr., 2004

Klassifikation
Physik
Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Schlagwort
Verbindungshalbleiter
Indiumarsenid
Indiumphosphid
Galliumarsenid
Galliumphosphid
Epitaxie
Verbindungshalbleiter
Bleitellurid
Zinktellurid
Epitaxie
Gitterbaufehler
Siliciumcarbid
Verbindungshalbleiter
Epitaxie
Gitterbaufehler

Urheber
Bakin, Andrey

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.03.2025, 12:19 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Bakin, Andrey

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