Nano-indentation study of dislocation evolution in GaN-based laser diodes

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
1 Online-Ressource.
Sprache
Englisch

Erschienen in
Nano-indentation study of dislocation evolution in GaN-based laser diodes ; volume:19 ; number:1 ; day:7 ; month:3 ; year:2024 ; pages:1-7 ; date:12.2024
Discover nano ; 19, Heft 1 (7.3.2024), 1-7, 12.2024

Urheber
Chen, Jingjing
Su, Xujun
Wang, Guobing
Niu, Mutong
Li, Xinran
Xu, Ke
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1186/s11671-024-03983-0
URN
urn:nbn:de:101:1-2405102105558.807916418085
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:52 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Chen, Jingjing
  • Su, Xujun
  • Wang, Guobing
  • Niu, Mutong
  • Li, Xinran
  • Xu, Ke
  • SpringerLink (Online service)

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