How to Make Semi‐Polar InGaN Light Emitting Diodes with High Internal Quantum Efficiency: The Importance of the Internal Field
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Erschienen in
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How to Make Semi‐Polar InGaN Light Emitting Diodes with High Internal Quantum Efficiency: The Importance of the Internal Field ; day:31 ; month:08 ; year:2024 ; extent:12
Laser & photonics reviews ; (31.08.2024) (gesamt 12)
- Urheber
- DOI
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10.1002/lpor.202400529
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2408311414450.833502776199
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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15.08.2025, 07:29 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Pristovsek, Markus
- Hu, Nan