How to Make Semi‐Polar InGaN Light Emitting Diodes with High Internal Quantum Efficiency: The Importance of the Internal Field

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
How to Make Semi‐Polar InGaN Light Emitting Diodes with High Internal Quantum Efficiency: The Importance of the Internal Field ; day:31 ; month:08 ; year:2024 ; extent:12
Laser & photonics reviews ; (31.08.2024) (gesamt 12)

Urheber

DOI
10.1002/lpor.202400529
URN
urn:nbn:de:101:1-2408311414450.833502776199
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:29 MESZ

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