Siliziumkarbidgrenzflächen: Konzepte zur Charakterisierung elektronischer Bauelemente

Weitere Titel
Silicon carbide interfaces: concepts for the characterization of electronic devices
Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Dissertation, 2021

Schlagwort
Grenzfläche
MOS-FET
Bauelement
Hall-Effekt
DLTS
Siliciumcarbid

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Erlangen
(wer)
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
(wann)
2021
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Weber, Heiko B.
Fauster, Thomas

URN
urn:nbn:de:bvb:29-opus4-169257
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 10:53 MESZ

Datenpartner

Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.

Beteiligte

  • Hauck, Martin
  • Weber, Heiko B.
  • Fauster, Thomas
  • Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)

Entstanden

  • 2021

Ähnliche Objekte (12)