Hochschulschrift
Modellbildung und Simulation der temperaturabhängigen Rauscheigenschaften von GaAs-MESFETs im Hochfrequenzbereich
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783826505102
3826505107
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
VI, 207 S.
- Edition
-
Als Ms. gedr.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Duisburg, Univ., Diss., 1994
- Keyword
-
MES-FET
Kurzkanal-FET
Galliumarsenid-Bauelement
Rauschen
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Aachen
- (who)
-
Shaker
- (when)
-
1995
- Creator
-
Nevermann, Peter
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
- 11.06.2025, 1:44 PM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Nevermann, Peter
- Shaker
Time of origin
- 1995
Other Objects (12)
Modellbildung und Simulation mit hybriden höheren Netzen
Dynamik von Zahnradgetrieben : Modellbildung, Simulation und experimentelle Analyse
Modellbildung und Simulation von Heterostrukturbipolartransistoren aus III, V Halbleitermaterialien
Modellbildung einer Transversalflussmaschine für die stationäre und dynamische Simulation
Modellbildung, Simulation und experimentelle Analyse der Dynamik wälzgelagerter Rotoren
Modellbildung und Simulation in einem Expertensystem zur Konfigurierung hydrostatischer Mobilantriebe
Der Bandformungsprozeß beim Dünnbandgießen nach dem Zweirollenverfahren : Modellbildung und Simulation
Laserdioden hoher optischer Ausgangsleistung im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs
Hochleistungs-Laserverstärker auf der Basis von InGaAs-AlGaAs-GaAs
Schleifprozesse verstehen: zum Stand der Modellbildung und Simulation sowie unterstützender experimenteller Methoden
Präparation und optische Spektroskopie von GaAs-AlGaAs-Nanostrukturen
Verbesserung der Langzeitstabilität von InGaAs-AlGaAs-Hochleistungs-Diodenlasern
Modellbildung und Simulation mit hybriden höheren Netzen
Dynamik von Zahnradgetrieben : Modellbildung, Simulation und experimentelle Analyse
Modellbildung und Simulation von Heterostrukturbipolartransistoren aus III, V Halbleitermaterialien
Modellbildung einer Transversalflussmaschine für die stationäre und dynamische Simulation
Modellbildung, Simulation und experimentelle Analyse der Dynamik wälzgelagerter Rotoren
Modellbildung und Simulation in einem Expertensystem zur Konfigurierung hydrostatischer Mobilantriebe
Der Bandformungsprozeß beim Dünnbandgießen nach dem Zweirollenverfahren : Modellbildung und Simulation
Laserdioden hoher optischer Ausgangsleistung im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs
Hochleistungs-Laserverstärker auf der Basis von InGaAs-AlGaAs-GaAs
Schleifprozesse verstehen: zum Stand der Modellbildung und Simulation sowie unterstützender experimenteller Methoden
Präparation und optische Spektroskopie von GaAs-AlGaAs-Nanostrukturen
Verbesserung der Langzeitstabilität von InGaAs-AlGaAs-Hochleistungs-Diodenlasern
Modellbildung und Simulation mit hybriden höheren Netzen
Dynamik von Zahnradgetrieben : Modellbildung, Simulation und experimentelle Analyse
Modellbildung und Simulation von Heterostrukturbipolartransistoren aus III, V Halbleitermaterialien
Modellbildung einer Transversalflussmaschine für die stationäre und dynamische Simulation
Modellbildung, Simulation und experimentelle Analyse der Dynamik wälzgelagerter Rotoren
Modellbildung und Simulation in einem Expertensystem zur Konfigurierung hydrostatischer Mobilantriebe
Der Bandformungsprozeß beim Dünnbandgießen nach dem Zweirollenverfahren : Modellbildung und Simulation
Laserdioden hoher optischer Ausgangsleistung im Materialsystem InGaAs-AlGaAs-GaAs
Hochleistungs-Laserverstärker auf der Basis von InGaAs-AlGaAs-GaAs
Schleifprozesse verstehen: zum Stand der Modellbildung und Simulation sowie unterstützender experimenteller Methoden
Präparation und optische Spektroskopie von GaAs-AlGaAs-Nanostrukturen