Hochschulschrift
Modellbildung und Simulation der temperaturabhängigen Rauscheigenschaften von GaAs-MESFETs im Hochfrequenzbereich
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783826505102
3826505107
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
VI, 207 S.
- Ausgabe
-
Als Ms. gedr.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Duisburg, Univ., Diss., 1994
- Schlagwort
-
MES-FET
Kurzkanal-FET
Galliumarsenid-Bauelement
Rauschen
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Aachen
- (wer)
-
Shaker
- (wann)
-
1995
- Urheber
-
Nevermann, Peter
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:44 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Nevermann, Peter
- Shaker
Entstanden
- 1995
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