Hochschulschrift
Reine und gasbedeckte GaAs(110)-Spaltflächen [GaAs-Spaltflächen] in hochaufgelöster Elektronen-Energieverlustspektroskopie
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
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21 cm
- Umfang
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IV, 119 S.
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
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Ill., graph. Darst.
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1982
- Schlagwort
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Galliumarsenid
Halbleiter
Galliumarsenid
Halbleiter
- Urheber
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Matz, Richard
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
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- Letzte Aktualisierung
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11.06.2025, 13:41 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Matz, Richard