Hochschulschrift

Schäden durch ionisierende Strahlung in SiO2-Si-Systemen : Experimente, empirische Beschreibungen, Modelle

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
142 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
Hagen, Univ., Diss., 1994

Schlagwort
MOS-FET
Siliciumdioxid
Silicium
Ionisierende Strahlung
Strahlenschaden

Urheber
Wang, Yu

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:56 MESZ

Datenpartner

Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.

Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Wang, Yu

Ähnliche Objekte (12)