Hochschulschrift
Schäden durch ionisierende Strahlung in SiO2-Si-Systemen : Experimente, empirische Beschreibungen, Modelle
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
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21 cm
- Umfang
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142 S.
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
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graph. Darst.
Hagen, Univ., Diss., 1994
- Schlagwort
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MOS-FET
Siliciumdioxid
Silicium
Ionisierende Strahlung
Strahlenschaden
- Urheber
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Wang, Yu
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
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- Letzte Aktualisierung
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11.06.2025, 13:56 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Wang, Yu