Hochschulschrift
Zur atomaren und elektronischen Struktur der Oberflächen und Grenzflächen antimonhaltiger Halbleiter
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
XII, 136 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Duisburg, Essen, Univ., Diss. 2005 (Nicht für den Austausch)
- Klassifikation
-
Physik
- Schlagwort
-
Galliumarsenid
Galliumantimonid
Mischkristall
MOCVD-Verfahren
Reflexionsspektroskopie
Galliumarsenid
Galliumantimonid
Mischkristall
Heterostruktur
Indiumphosphid
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:10 MESZ
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Objekttyp
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Beteiligte
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