High-performance bilayer flexible resistive random access memory based on low-temperature thermal atomic layer deposition

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
1556-276X
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
online resource.

Erschienen in
High-performance bilayer flexible resistive random access memory based on low-temperature thermal atomic layer deposition ; volume:8 ; number:1 ; day:19 ; month:2 ; year:2013 ; pages:1-7 ; date:12.2013
Nanoscale research letters ; 8, Heft 1 (19.2.2013), 1-7, 12.2013

Urheber
Fang, Run-Chen
Sun, Qing-Qing
Zhou, Peng
Yang, Wen
Wang, Peng-Fei
Zhang, David Wei
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1186/1556-276X-8-92
URN
urn:nbn:de:101:1-2021081621401338777342
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 08:47 UTC

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Beteiligte

  • Fang, Run-Chen
  • Sun, Qing-Qing
  • Zhou, Peng
  • Yang, Wen
  • Wang, Peng-Fei
  • Zhang, David Wei
  • SpringerLink (Online service)

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