Hochschulschrift
Untersuchung von Instabilitäten elektrischer Eigenschaften der Grenzfläche Si-SiO2 [SiSiO]
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
158 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
München, Techn. Univ., Fak. für Elektrotechnik, Diss., 1980
- Schlagwort
-
Siliziumdioxid
Grenzfläche
MOS-Kondensator
Silizium
Siliciumdioxid
Grenzfläche
Silicium
- Urheber
-
Werner, Christoph
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
- 11.06.2025, 14:23 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Werner, Christoph
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