Hochschulschrift
Untersuchung von Instabilitäten elektrischer Eigenschaften der Grenzfläche Si-SiO2 [SiSiO]
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
158 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst.
München, Techn. Univ., Fak. für Elektrotechnik, Diss., 1980
- Keyword
-
Siliziumdioxid
Grenzfläche
MOS-Kondensator
Silizium
Siliciumdioxid
Grenzfläche
Silicium
- Creator
-
Werner, Christoph
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
- 11.06.2025, 2:23 PM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Werner, Christoph
Other Objects (12)
![Elektronische Haftstellen im Bereich der SiO2-Si-Grenzfläche [SiO-Si-Grenzfläche]](/assets/placeholder/searchResultMediaNoDigitisedMedia.png)
Elektronische Haftstellen im Bereich der SiO2-Si-Grenzfläche [SiO-Si-Grenzfläche]
Elektronische Instabilitäten im System Metall-SiO2-Si [Metall-SiO-Si]
Eigenschaften elektrisch aktiver Zustände an der Grenzfläche SiC SiO2
Untersuchungen von Stufenverteilungen an der Si/SiO2-Grenzfläche [Si-SiO-Grenzfläche] mit HR-SPA-LEED
Zur Elektron-Phonon-Wechselwirkung an der Si-SiO2-Grenzfläche [Si-SiO-Grenzfläche] in (100)-MOSFETS [MOSFETS]
Änderung von elektrisch-physikalischen Eigenschaften einer Si-SiO2-Grenzfläche durch Ionenimplantation
Ladungsträgereinfang in einzelnen Störstellen an der Si-SiO2-Grenzfläche
Charakterisierung von Dangling-Bond-Defekten an der Si-SiO2-Grenzfläche
Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO2-Grenzfläche [Si-SiO-Grenzfläche] sowie ihr Einfluss auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren
Das polySi-SiO2-Si-System : Verfahren, Eigenschaften, Anwendung.
Mechanische Eigenschaften von SiO2-Schichten auf SiSiC-Keramik
Herstellung und Eigenschaften kathodisch aufgestäubter SiO2- [SiO-] und SiO2-polySi-Schichten [SiO-polySi-Schichten] für die MOS-Technologie
Elektronische Haftstellen im Bereich der SiO2-Si-Grenzfläche [SiO-Si-Grenzfläche]
Elektronische Instabilitäten im System Metall-SiO2-Si [Metall-SiO-Si]
Eigenschaften elektrisch aktiver Zustände an der Grenzfläche SiC SiO2
Untersuchungen von Stufenverteilungen an der Si/SiO2-Grenzfläche [Si-SiO-Grenzfläche] mit HR-SPA-LEED
Zur Elektron-Phonon-Wechselwirkung an der Si-SiO2-Grenzfläche [Si-SiO-Grenzfläche] in (100)-MOSFETS [MOSFETS]
Änderung von elektrisch-physikalischen Eigenschaften einer Si-SiO2-Grenzfläche durch Ionenimplantation
Ladungsträgereinfang in einzelnen Störstellen an der Si-SiO2-Grenzfläche
Charakterisierung von Dangling-Bond-Defekten an der Si-SiO2-Grenzfläche
Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO2-Grenzfläche [Si-SiO-Grenzfläche] sowie ihr Einfluss auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren
Das polySi-SiO2-Si-System : Verfahren, Eigenschaften, Anwendung.
Mechanische Eigenschaften von SiO2-Schichten auf SiSiC-Keramik
Herstellung und Eigenschaften kathodisch aufgestäubter SiO2- [SiO-] und SiO2-polySi-Schichten [SiO-polySi-Schichten] für die MOS-Technologie
Elektronische Haftstellen im Bereich der SiO2-Si-Grenzfläche [SiO-Si-Grenzfläche]
Elektronische Instabilitäten im System Metall-SiO2-Si [Metall-SiO-Si]
Eigenschaften elektrisch aktiver Zustände an der Grenzfläche SiC SiO2
Untersuchungen von Stufenverteilungen an der Si/SiO2-Grenzfläche [Si-SiO-Grenzfläche] mit HR-SPA-LEED
Zur Elektron-Phonon-Wechselwirkung an der Si-SiO2-Grenzfläche [Si-SiO-Grenzfläche] in (100)-MOSFETS [MOSFETS]
Änderung von elektrisch-physikalischen Eigenschaften einer Si-SiO2-Grenzfläche durch Ionenimplantation
Ladungsträgereinfang in einzelnen Störstellen an der Si-SiO2-Grenzfläche
Charakterisierung von Dangling-Bond-Defekten an der Si-SiO2-Grenzfläche
Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO2-Grenzfläche [Si-SiO-Grenzfläche] sowie ihr Einfluss auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren
Das polySi-SiO2-Si-System : Verfahren, Eigenschaften, Anwendung.
Mechanische Eigenschaften von SiO2-Schichten auf SiSiC-Keramik