A ferroelectric fin diode for robust non-volatile memory

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
1 Online-Ressource.
Sprache
Englisch

Erschienen in
A ferroelectric fin diode for robust non-volatile memory ; volume:15 ; number:1 ; day:13 ; month:1 ; year:2024 ; pages:1-11 ; date:12.2024
Nature Communications ; 15, Heft 1 (13.1.2024), 1-11, 12.2024

Urheber
Feng, Guangdi
Zhu, Qiuxiang
Liu, Xuefeng
Chen, Luqiu
Zhao, Xiaoming
Liu, Jianquan
Xiong, Shaobing
Shan, Kexiang
Yang, Zhenzhong
Bao, Qinye
Yue, Fangyu
Peng, Hui
Huang, Rong
Tang, Xiaodong
Jiang, Jie
Tang, Wei
Guo, Xiaojun
Wang, Jianlu
Jiang, Anquan
Dkhil, Brahim
Tian, Bobo
Chu, Junhao
Duan, Chungang
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1038/s41467-024-44759-5
URN
urn:nbn:de:101:1-2024032609222487809904
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
14.08.2025, 11:02 MESZ

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Beteiligte

  • Feng, Guangdi
  • Zhu, Qiuxiang
  • Liu, Xuefeng
  • Chen, Luqiu
  • Zhao, Xiaoming
  • Liu, Jianquan
  • Xiong, Shaobing
  • Shan, Kexiang
  • Yang, Zhenzhong
  • Bao, Qinye
  • Yue, Fangyu
  • Peng, Hui
  • Huang, Rong
  • Tang, Xiaodong
  • Jiang, Jie
  • Tang, Wei
  • Guo, Xiaojun
  • Wang, Jianlu
  • Jiang, Anquan
  • Dkhil, Brahim
  • Tian, Bobo
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