Hochschulschrift
Optische und elektronische Eigenschaften von AlGaN-GaN-Heterostrukturen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
31 cm
- Umfang
-
IX, 135 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2008
- Schlagwort
-
Borgruppennitride / Mischkristall / Heterostruktur / Optische Eigenschaft / Elektronische Eigenschaft / Hochschulschrift
- Urheber
- URN
-
urn:nbn:de:gbv:ilm1-2009000403
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:48 MEZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
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