Hochschulschrift

Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISBN
9783954043170
Maße
21 cm
Umfang
213 S.
Ausgabe
1. Aufl.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
Zugl.: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2012

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
MOS-FET
Size-Effekt
Vertikaler Transistor
Tunneleffekt
Feldeffekt
Randschicht
Stoßionisation
Computersimulation

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Göttingen
(wer)
Cuvillier
(wann)
2013
Urheber

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.03.2025, 11:48 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

Entstanden

  • 2013

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