Hochschulschrift
Digitale Silizium- und Galliumarsenid-Schaltungen für Breitband-Koppelelemente im Gigabitbereich
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
XVIII, 142 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst., Kt.
München, Techn. Univ., Diss., 1998
- Keyword
-
Breitband-ISDN
ATM
Koppelelement
Siliciumbauelement
Bewertung
Galliumarsenid-Bauelement
Koppelelement
Siliciumbauelement
CMOS
MES-FET
HEMT
Galliumarsenid-Bauelement
- Creator
- Table of contents
- Rights
-
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- Last update
- 11.06.2025, 2:02 PM CEST
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Object type
- Hochschulschrift
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Other Objects (12)
Hochtemperatur-Röntgentopografie an Silizium und Galliumarsenid
Prozessinduzierte Defekte in Silizium und Galliumarsenid
Defekte bei der Heteroepitaxie von Galliumarsenid auf Silizium
Einfluss der Silizium-Diffusion auf die Defektbildung in Galliumarsenid
Untersuchungen zur Diffusion von Eigenpunktdefekten in Silizium und Galliumarsenid
Untersuchungen zur Diffusion von Eigenpunktdefekten in Silizium und Galliumarsenid
2 Wafer (Scheiben aus Halbleitermaterialien, eventuell Silizium, Germanium oder Galliumarsenid)
Über den anomalen photovoltaischen Effekt in dünnen amorphen Galliumarsenid-Silizium-Schichten
Messtechnische Charakterisierung des Breitband-Übertragungsverhaltens von Leitungen auf Silizium-Substraten
Züchtung von versetzungsarmem, Silicium-dotiertem Galliumarsenid mit dem vertikalen Gradient-Freeze-Verfahren
Quasi-analytische Untersuchung der Breitband-Übertragungseigenschaften gekoppelter Leitungssysteme in integrierten Schaltungen
Breitband
Hochtemperatur-Röntgentopografie an Silizium und Galliumarsenid
Prozessinduzierte Defekte in Silizium und Galliumarsenid
Defekte bei der Heteroepitaxie von Galliumarsenid auf Silizium
Einfluss der Silizium-Diffusion auf die Defektbildung in Galliumarsenid
Untersuchungen zur Diffusion von Eigenpunktdefekten in Silizium und Galliumarsenid
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2 Wafer (Scheiben aus Halbleitermaterialien, eventuell Silizium, Germanium oder Galliumarsenid)
Über den anomalen photovoltaischen Effekt in dünnen amorphen Galliumarsenid-Silizium-Schichten
Messtechnische Charakterisierung des Breitband-Übertragungsverhaltens von Leitungen auf Silizium-Substraten
Züchtung von versetzungsarmem, Silicium-dotiertem Galliumarsenid mit dem vertikalen Gradient-Freeze-Verfahren
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