Hochschulschrift
Elektronenverteilungen in kurzen n-Kanal Si-MOSFETs unter Berücksichtigung von Elektron-Elektron-Wechselwirkung
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
IV, 124 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Köln, Univ., Diss., 2000
- Schlagwort
-
n-Kanal-FET
Elektronentransport
Elektron-Elektron-Wechselwirkung
Heißes Elektron
Monte-Carlo-Simulation
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.03.2025, 11:58 MEZ
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Beteiligte
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