Defect-engineered monolayer MoS 2 with enhanced memristive and synaptic functionality for neuromorphic computing
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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1 Online-Ressource.
- Sprache
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Englisch
- Erschienen in
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Defect-engineered monolayer MoS 2 with enhanced memristive and synaptic functionality for neuromorphic computing ; volume:5 ; number:1 ; day:16 ; month:9 ; year:2024 ; pages:1-14 ; date:12.2024
Communications materials ; 5, Heft 1 (16.9.2024), 1-14, 12.2024
- Klassifikation
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Elektrotechnik, Elektronik
- Urheber
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Rajput, Manisha
Mallik, Sameer Kumar
Chatterjee, Sagnik
Shukla, Ashutosh
Hwang, Sooyeon
Sahoo, Satyaprakash
Kumar, G. V. Pavan
Rahman, Atikur
- Beteiligte Personen und Organisationen
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SpringerLink (Online service)
- DOI
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10.1038/s43246-024-00632-y
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2411292121377.731260339128
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
- 15.08.2025, 07:38 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Rajput, Manisha
- Mallik, Sameer Kumar
- Chatterjee, Sagnik
- Shukla, Ashutosh
- Hwang, Sooyeon
- Sahoo, Satyaprakash
- Kumar, G. V. Pavan
- Rahman, Atikur
- SpringerLink (Online service)