Defect-engineered monolayer MoS 2 with enhanced memristive and synaptic functionality for neuromorphic computing

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
1 Online-Ressource.
Sprache
Englisch

Erschienen in
Defect-engineered monolayer MoS 2 with enhanced memristive and synaptic functionality for neuromorphic computing ; volume:5 ; number:1 ; day:16 ; month:9 ; year:2024 ; pages:1-14 ; date:12.2024
Communications materials ; 5, Heft 1 (16.9.2024), 1-14, 12.2024

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik

Urheber
Rajput, Manisha
Mallik, Sameer Kumar
Chatterjee, Sagnik
Shukla, Ashutosh
Hwang, Sooyeon
Sahoo, Satyaprakash
Kumar, G. V. Pavan
Rahman, Atikur
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1038/s43246-024-00632-y
URN
urn:nbn:de:101:1-2411292121377.731260339128
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:38 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Rajput, Manisha
  • Mallik, Sameer Kumar
  • Chatterjee, Sagnik
  • Shukla, Ashutosh
  • Hwang, Sooyeon
  • Sahoo, Satyaprakash
  • Kumar, G. V. Pavan
  • Rahman, Atikur
  • SpringerLink (Online service)

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