Hochschulschrift

Sub-0.2 μm [my m] double sided modulation doped InAlAs-InGaAs heterojunction field effect transistor with InAs layer in the channel

Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Dimensions
21 cm
Extent
IV, 143 S.
Language
Englisch
Notes
Ill., graph. Darst.
München, Techn. Univ., Diss., 1997

Keyword
HEMT
Indiumarsenid
Aluminiumarsenid
Galliumarsenid
Indiumphosphid

Creator
Xu, Dong

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Last update
11.06.2025, 1:39 PM CEST

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Object type

  • Hochschulschrift

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