Works:
- Contamination‐assisted rather than metal catalyst‐free bottom‐up growth of silicon nanowires
- Contamination‐Assisted Rather Than Metal Catalyst‐Free Bottom‐Up Growth of Silicon Nanowires
- Cu(Ag)-Legierungsschichten als Werkstoff für Leiterbahnen höchstintegrierter Schaltkreise : Herstellung, Gefüge, thermomechanische Eigenschaften, Elektromigrationsresistenz
- The electronic properties of silicon nanowires during their dissolution under simulated physiological conditions