Ein Beitrag zur Herstellung und Charakterisierung von Galliumnitrid Trench MOSFETs auf nativen Substraten : Fabrication and characterization of gallium nitride trench MOSFETs on native substrates
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Extent
-
Online-Ressource
- Language
-
Englisch
- Notes
-
Bremen, Universität Bremen, Dissertation, 2022
- Classification
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Keyword
-
MOS-FET
Leistungshalbleiter
Galliumnitrid
Silicium
Siliciumcarbid
Halbleitertechnologie
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Bremen
- (who)
-
Staats- und Universitätsbibliothek Bremen
- (when)
-
2022
- Creator
-
Dannecker, Kevin
- Contributor
- DOI
-
10.26092/elib/1610
- URN
-
urn:nbn:de:gbv:46-elib60051
- Rights
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
14.08.2025, 11:04 AM CEST
Data provider
This object is provided by:
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Associated
- Dannecker, Kevin
- Kaminski, Nando
- Erlbacher, Tobias
- Staats- und Universitätsbibliothek Bremen
Time of origin
- 2022
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