Hochschulschrift
Low dimensional Si-SiGe structures deposited by UHV-CVD for thermophotovoltaics
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Konstanz, Univ., Diss., 2006
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
Silicium ; Germanium ; Optische Strahlung / Absorption ; Ultrahochvakuum ; CVD-Verfahren ; Nanostruktur ; Photovoltaik ; Quantenwell
- Urheber
-
Palfinger, Günther
- URN
-
urn:nbn:de:bsz:352-opus-19591
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 11:03 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Palfinger, Günther
Ähnliche Objekte (12)
Herstellung von Si-Bauelementen durch UHV-Epitaxie
Thermally Induced Nano-Structural and Optical Changes of nc-Si:H Deposited by Hot-Wire CVD
Si/SiGe-basierende Phototransistoren
Ionenbeschuss-induzierte Nukleation von CVD-Diamant auf Si
Surface Morphology Transformation Under High-Temperature Annealing of Ge Layers Deposited on Si(100)
Atomic scale in-situ control of Si(100) and Ge(100) surfaces in CVD ambient
Atomic scale in situ control of Si(100) and Ge(100) surfaces in CVD ambient
Si ge xiao shen tan : = Si ge xiao shen tan
Fourierspektroskopie an pseudomorphen Si/SiGe-Heterostrukturen
Niedertemperaturtechnologien zur Herstellung von skalierfähigen Si/SiGe/Si-Heterobipolartransistoren
Untersuchungen zur Herstellung höherer Silane für die Si-CVD
Electronic properties of phthalocyanines deposited on H-Si(111)
Herstellung von Si-Bauelementen durch UHV-Epitaxie
Thermally Induced Nano-Structural and Optical Changes of nc-Si:H Deposited by Hot-Wire CVD
Si/SiGe-basierende Phototransistoren
Ionenbeschuss-induzierte Nukleation von CVD-Diamant auf Si
Surface Morphology Transformation Under High-Temperature Annealing of Ge Layers Deposited on Si(100)
Atomic scale in-situ control of Si(100) and Ge(100) surfaces in CVD ambient
Atomic scale in situ control of Si(100) and Ge(100) surfaces in CVD ambient
Si ge xiao shen tan : = Si ge xiao shen tan
Fourierspektroskopie an pseudomorphen Si/SiGe-Heterostrukturen
Niedertemperaturtechnologien zur Herstellung von skalierfähigen Si/SiGe/Si-Heterobipolartransistoren
Untersuchungen zur Herstellung höherer Silane für die Si-CVD
Electronic properties of phthalocyanines deposited on H-Si(111)
Herstellung von Si-Bauelementen durch UHV-Epitaxie
Thermally Induced Nano-Structural and Optical Changes of nc-Si:H Deposited by Hot-Wire CVD
Si/SiGe-basierende Phototransistoren
Ionenbeschuss-induzierte Nukleation von CVD-Diamant auf Si
Surface Morphology Transformation Under High-Temperature Annealing of Ge Layers Deposited on Si(100)
Atomic scale in-situ control of Si(100) and Ge(100) surfaces in CVD ambient
Atomic scale in situ control of Si(100) and Ge(100) surfaces in CVD ambient
Si ge xiao shen tan : = Si ge xiao shen tan
Fourierspektroskopie an pseudomorphen Si/SiGe-Heterostrukturen
Niedertemperaturtechnologien zur Herstellung von skalierfähigen Si/SiGe/Si-Heterobipolartransistoren
Untersuchungen zur Herstellung höherer Silane für die Si-CVD