A computing-in-memory macro based on three-dimensional resistive random-access memory
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
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2520-1131
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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online resource.
- Erschienen in
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A computing-in-memory macro based on three-dimensional resistive random-access memory ; volume:5 ; number:7 ; day:26 ; month:7 ; year:2022 ; pages:469-477 ; date:7.2022
Nature electronics ; 5, Heft 7 (26.7.2022), 469-477, 7.2022
- Urheber
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Huo, Qiang
Yang, Yiming
Wang, Yiming
Lei, Dengyun
Fu, Xiangqu
Ren, Qirui
Xu, Xiaoxin
Luo, Qing
Xing, Guozhong
Chen, Chengying
Si, Xin
Wu, Hao
Yuan, Yiyang
Li, Qiang
Li, Xiaoran
Wang, Xinghua
Chang, Meng-Fan
Zhang, Feng
Liu, Ming
- Beteiligte Personen und Organisationen
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SpringerLink (Online service)
- DOI
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10.1038/s41928-022-00795-x
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2022102312574125032992
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:39 MESZ
Datenpartner
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Beteiligte
- Huo, Qiang
- Yang, Yiming
- Wang, Yiming
- Lei, Dengyun
- Fu, Xiangqu
- Ren, Qirui
- Xu, Xiaoxin
- Luo, Qing
- Xing, Guozhong
- Chen, Chengying
- Si, Xin
- Wu, Hao
- Yuan, Yiyang
- Li, Qiang
- Li, Xiaoran
- Wang, Xinghua
- Chang, Meng-Fan
- Zhang, Feng
- Liu, Ming
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