A computing-in-memory macro based on three-dimensional resistive random-access memory

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
ISSN
2520-1131
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
online resource.

Erschienen in
A computing-in-memory macro based on three-dimensional resistive random-access memory ; volume:5 ; number:7 ; day:26 ; month:7 ; year:2022 ; pages:469-477 ; date:7.2022
Nature electronics ; 5, Heft 7 (26.7.2022), 469-477, 7.2022

Urheber
Huo, Qiang
Yang, Yiming
Wang, Yiming
Lei, Dengyun
Fu, Xiangqu
Ren, Qirui
Xu, Xiaoxin
Luo, Qing
Xing, Guozhong
Chen, Chengying
Si, Xin
Wu, Hao
Yuan, Yiyang
Li, Qiang
Li, Xiaoran
Wang, Xinghua
Chang, Meng-Fan
Zhang, Feng
Liu, Ming
Beteiligte Personen und Organisationen
SpringerLink (Online service)

DOI
10.1038/s41928-022-00795-x
URN
urn:nbn:de:101:1-2022102312574125032992
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:39 MESZ

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Beteiligte

  • Huo, Qiang
  • Yang, Yiming
  • Wang, Yiming
  • Lei, Dengyun
  • Fu, Xiangqu
  • Ren, Qirui
  • Xu, Xiaoxin
  • Luo, Qing
  • Xing, Guozhong
  • Chen, Chengying
  • Si, Xin
  • Wu, Hao
  • Yuan, Yiyang
  • Li, Qiang
  • Li, Xiaoran
  • Wang, Xinghua
  • Chang, Meng-Fan
  • Zhang, Feng
  • Liu, Ming
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