Hochschulschrift

Silizium-MOSFETs mit kleinen Kanallängen, ein Beitrag zur Technologie und zum Verständnis des elektrischen Verhaltens

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
VI, 133 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Aachen, Techn. Hochsch., Fak. für Elektrotechnik, Diss., 1981

Schlagwort
MOS-Feldeffekttransistor

Urheber
Niggebrügge, Udo

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.03.2025, 12:27 MEZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Niggebrügge, Udo

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