Hochschulschrift
Numerische Simulation des stationären und dynamischen Verhaltens von MOS-Varaktoren unter besonderer Berücksichtigung der Phasengrenze Si/SiO2
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
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21 cm
- Umfang
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142, [12] S.
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
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graph. Darst.
Berlin, Techn. Univ., Diss., 1994
- Schlagwort
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Halbleiterbauelement
MOS-Varaktor
Testmuster
Mathematisches Modell
- Urheber
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Graf, Josef
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
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- Letzte Aktualisierung
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11.06.2025, 14:29 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Graf, Josef