Low Hysteresis MoS2-FET Enabled by CVD-Grown h-BN Encapsulation

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch
Anmerkungen
In: 2021 Device Research Conference , Santa Barbara, CA , USA , DRC , 2021-06-20 - 2021-06-23

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Aachen
(wer)
Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
(wann)
2021
Urheber
Piacentini, Agata
Schneider, Daniel
Otto, Martin
Canto, Barbara
Wang, Zhenyu
Radenovic, Aleksandra
Kis, Andras
Lemme, Max Christian
Neumaier, Daniel

DOI
10.18154/RWTH-2021-08099
URN
urn:nbn:de:101:1-2022072903313516581831
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:26 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Piacentini, Agata
  • Schneider, Daniel
  • Otto, Martin
  • Canto, Barbara
  • Wang, Zhenyu
  • Radenovic, Aleksandra
  • Kis, Andras
  • Lemme, Max Christian
  • Neumaier, Daniel
  • Universitätsbibliothek der RWTH Aachen

Entstanden

  • 2021

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