Monografie
Kernspinrelaxationsmessungen zur Lithiumadsorption auf naßchemisch präparierten und (7x7)-rekonstruierten Si(111)-Oberflächen
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Marburg, Univ., Diss., 2000
- Identifier
-
962403032
Thema
Silicium ; Kristallfläche ; Lithium-8 ; Kernspinrelaxation ; Hochschulschrift; Online-Publikation
Beteiligte Personen und Organisationen
Weindel, Christian
- URN
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
26.01.2023, 13:56 MEZ
Objekttyp
- Monografie
Beteiligte
- Weindel, Christian
Ähnliche Objekte (12)
![β-NMR [Beta-NMR] an 8Lithium adsorbiert auf Silizium(111)7x7 und den naßchemisch sowie in-situ-präparierten wasserstoffterminierten Oberflächen](/assets/placeholder/searchResultMediaUnknown.png)
β-NMR [Beta-NMR] an 8Lithium adsorbiert auf Silizium(111)7x7 und den naßchemisch sowie in-situ-präparierten wasserstoffterminierten Oberflächen
NMR-Experimente zur elektronischen Struktur der Si(111)-(7x7)-Oberfläche
Untersuchung der elektronischen Struktur der Li-induzierten Si(111)-(3x1)-Rekonstruktion mittels Photoemission und 8Li-β-NMR [8-Li-Beta-NMR]
Linear and nonlinear optical excitations in spatially-inhomogeneous semiconductor systems
Zeitaufgelöste Experimente zur Oberflächen-Photospannung an Silizium
Goldinduzierte Nanostrukturierung vicinaler Si(001)-Oberflächen
Wachstumsverhalten von dünnen Manganschichten auf Si(100)- und Bismut terminierten Si(100)-Oberflächen
Rasterkraftmikroskopie im UHV : Abbildungsprozesse im Kontaktmodus und im dynamischen Modus am Beispiel der Gold-(111)-22-(±1)-x-√3- und der Si-(111)-7-x-7-Oberfläche
Einfluß der absoluten Oberflächenspannung auf die Form dünner Einkristalle : eine Analyse am Beispiel Si(111)
Rasterkraftmikroskopie-Untersuchungen an Isolator-, Halbleiter-Systemen : die Wachstumsmorphologie von CaF2-Si(111)
Präparation und Charakterisierung von Nanostrukturen mittels Rastertunnelmikroskopie auf Si(111)
Wachstum von dreidimensionalen Germaniuminseln auf unverspannten und verspannten Silizium-(001)-Oberflächen
β-NMR [Beta-NMR] an 8Lithium adsorbiert auf Silizium(111)7x7 und den naßchemisch sowie in-situ-präparierten wasserstoffterminierten Oberflächen
NMR-Experimente zur elektronischen Struktur der Si(111)-(7x7)-Oberfläche
Untersuchung der elektronischen Struktur der Li-induzierten Si(111)-(3x1)-Rekonstruktion mittels Photoemission und 8Li-β-NMR [8-Li-Beta-NMR]
Linear and nonlinear optical excitations in spatially-inhomogeneous semiconductor systems
Zeitaufgelöste Experimente zur Oberflächen-Photospannung an Silizium
Goldinduzierte Nanostrukturierung vicinaler Si(001)-Oberflächen
Wachstumsverhalten von dünnen Manganschichten auf Si(100)- und Bismut terminierten Si(100)-Oberflächen
Rasterkraftmikroskopie im UHV : Abbildungsprozesse im Kontaktmodus und im dynamischen Modus am Beispiel der Gold-(111)-22-(±1)-x-√3- und der Si-(111)-7-x-7-Oberfläche
Einfluß der absoluten Oberflächenspannung auf die Form dünner Einkristalle : eine Analyse am Beispiel Si(111)
Rasterkraftmikroskopie-Untersuchungen an Isolator-, Halbleiter-Systemen : die Wachstumsmorphologie von CaF2-Si(111)
Präparation und Charakterisierung von Nanostrukturen mittels Rastertunnelmikroskopie auf Si(111)
Wachstum von dreidimensionalen Germaniuminseln auf unverspannten und verspannten Silizium-(001)-Oberflächen
β-NMR [Beta-NMR] an 8Lithium adsorbiert auf Silizium(111)7x7 und den naßchemisch sowie in-situ-präparierten wasserstoffterminierten Oberflächen
NMR-Experimente zur elektronischen Struktur der Si(111)-(7x7)-Oberfläche
Untersuchung der elektronischen Struktur der Li-induzierten Si(111)-(3x1)-Rekonstruktion mittels Photoemission und 8Li-β-NMR [8-Li-Beta-NMR]
Linear and nonlinear optical excitations in spatially-inhomogeneous semiconductor systems
Zeitaufgelöste Experimente zur Oberflächen-Photospannung an Silizium
Goldinduzierte Nanostrukturierung vicinaler Si(001)-Oberflächen
Wachstumsverhalten von dünnen Manganschichten auf Si(100)- und Bismut terminierten Si(100)-Oberflächen
Rasterkraftmikroskopie im UHV : Abbildungsprozesse im Kontaktmodus und im dynamischen Modus am Beispiel der Gold-(111)-22-(±1)-x-√3- und der Si-(111)-7-x-7-Oberfläche
Einfluß der absoluten Oberflächenspannung auf die Form dünner Einkristalle : eine Analyse am Beispiel Si(111)
Rasterkraftmikroskopie-Untersuchungen an Isolator-, Halbleiter-Systemen : die Wachstumsmorphologie von CaF2-Si(111)
Präparation und Charakterisierung von Nanostrukturen mittels Rastertunnelmikroskopie auf Si(111)