Hochschulschrift

Stabilität und Rauschen von MESFET-Oszillatoren

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
116, [40] S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 1986

Schlagwort
Transistor
MESFET
Feldeffekttransistor
Oszillator
Rauschen
Transistor
Feldeffekttransistor
Oszillator
Rauschen

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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:33 MESZ

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