Hochschulschrift
Implantationsfreie Dotierung des Basisanschlusses von Si-, SiGe-Heterobipolartransistoren in Einfach-Polysilizium-Technologie
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
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9783898732741
3898732746
- Maße
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21 cm
- Umfang
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VI, 108 S.
- Ausgabe
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1. Aufl.
- Sprache
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Deutsch
- Anmerkungen
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Ill., graph. Darst.
Zugl.: Cottbus, Brandenburgische Techn. Univ., Diss., 2001
- Schlagwort
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Heterobipolartransistor
npn-Transistor
Silicium
Germanium
Basis
Diffusionsverfahren
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
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- Letzte Aktualisierung
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11.06.2025, 14:11 MESZ
Datenpartner
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Schmundt, Holger
- Cuvillier
Entstanden
- 2001