Hochschulschrift
Ab-initio-Berechnung des Dipolmomentes zweiter Ordnung in Halbleitern
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
21 cm
- Extent
-
III, 131 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst.
Regensburg, Univ., Diss., 1997
- Keyword
-
Halbleiter
Elektrisches Dipolmoment
Ab-initio-Rechnung
- Creator
-
Sterner, Hubert
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
- 11.06.2025, 2:26 PM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Sterner, Hubert
Other Objects (12)
Ab-initio-Berechnung von Raman-Tensoren in Halbleitern und Halbleiter-Mischsystemen
Ab-initio-Berechnung von Raman-Spektren in Halbleitern
Ab-initio-Berechnung von Raman-Spektren in Halbleitern
Druckinduzierte Phasenübergänge in Halbleitern mit Ab-initio-Methoden
Nichtlinearitäten in Halbleitern : eine erste Ab-initio-Studie
Druckinduzierte Phasenübergänge in Halbleitern mit Ab-initio-Methoden
Nichtlinearitäten in Halbleitern : eine erste Ab-initio-Studie
Ab initio Berechnung der (110) Oberfläche von III-V Halbleitern: Simulation von Rastertunnelmikroskopie-Aufnahmen
Ab-initio-Berechnungen zu elektronischen Eigenschaften und Untersuchungen zum Hochfeldtransport in Halbleitern mit großer Bandlücke
Ab-initio-Studien elektronischer und struktureller Eigenschaften von Metallen, Halbleitern, ihren Oberflächen und Metall-Halbleiter-Adsorbatsystemen
Ab-initio-Methoden zur Berechnung der elektronischen Anregungseigenschaften von Halbleitern und Isolatoren unter Berücksichtigung von Vieleilchen-Effekten
Ab initio Berechnung des Elektronentransports in metallbeschichteten Kohlenstoffnanoröhrchen : Ab initio Berechnung des Elektronentransports inmetallbeschichteten Kohlenstoffnanoröhrchen
Ab-initio-Berechnung von Raman-Tensoren in Halbleitern und Halbleiter-Mischsystemen
Ab-initio-Berechnung von Raman-Spektren in Halbleitern
Ab-initio-Berechnung von Raman-Spektren in Halbleitern
Druckinduzierte Phasenübergänge in Halbleitern mit Ab-initio-Methoden
Nichtlinearitäten in Halbleitern : eine erste Ab-initio-Studie
Druckinduzierte Phasenübergänge in Halbleitern mit Ab-initio-Methoden
Nichtlinearitäten in Halbleitern : eine erste Ab-initio-Studie
Ab initio Berechnung der (110) Oberfläche von III-V Halbleitern: Simulation von Rastertunnelmikroskopie-Aufnahmen
Ab-initio-Berechnungen zu elektronischen Eigenschaften und Untersuchungen zum Hochfeldtransport in Halbleitern mit großer Bandlücke
Ab-initio-Studien elektronischer und struktureller Eigenschaften von Metallen, Halbleitern, ihren Oberflächen und Metall-Halbleiter-Adsorbatsystemen
Ab-initio-Methoden zur Berechnung der elektronischen Anregungseigenschaften von Halbleitern und Isolatoren unter Berücksichtigung von Vieleilchen-Effekten
Ab initio Berechnung des Elektronentransports in metallbeschichteten Kohlenstoffnanoröhrchen : Ab initio Berechnung des Elektronentransports inmetallbeschichteten Kohlenstoffnanoröhrchen
Ab-initio-Berechnung von Raman-Tensoren in Halbleitern und Halbleiter-Mischsystemen
Ab-initio-Berechnung von Raman-Spektren in Halbleitern
Ab-initio-Berechnung von Raman-Spektren in Halbleitern
Druckinduzierte Phasenübergänge in Halbleitern mit Ab-initio-Methoden
Nichtlinearitäten in Halbleitern : eine erste Ab-initio-Studie
Druckinduzierte Phasenübergänge in Halbleitern mit Ab-initio-Methoden
Nichtlinearitäten in Halbleitern : eine erste Ab-initio-Studie
Ab initio Berechnung der (110) Oberfläche von III-V Halbleitern: Simulation von Rastertunnelmikroskopie-Aufnahmen
Ab-initio-Berechnungen zu elektronischen Eigenschaften und Untersuchungen zum Hochfeldtransport in Halbleitern mit großer Bandlücke
Ab-initio-Studien elektronischer und struktureller Eigenschaften von Metallen, Halbleitern, ihren Oberflächen und Metall-Halbleiter-Adsorbatsystemen
Ab-initio-Methoden zur Berechnung der elektronischen Anregungseigenschaften von Halbleitern und Isolatoren unter Berücksichtigung von Vieleilchen-Effekten