Hochschulschrift
IGBT-Stromrichtersystem für USV-Anlagen mit Potentialtrennung im Mittelfrequenzbereich
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
III, 104 S.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
graph. Darst.
Hamburg, Univ. der Bundeswehr, Diss., 1993
- Schlagwort
-
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Mittelfrequenz
IGBT
Stromrichter
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:05 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
Ähnliche Objekte (12)
Ein Beschleunigungsantrieb mit IGBT-Stromrichter und Energiepuffer
Drehgeberlos geregelte Induktionsmaschinen an IGBT-Pulsstromrichtern
IGBT- und Diodenstrukturen für moderne Schaltungskonzepte
Untersuchungen zur Robustheit von IGBT-Chips im Lawinendurchbruch
Untersuchungen zur Robustheit von IGBT-Chips im Lawinendurchbruch
Untersuchungen zur Robustheit von IGBT-Chips im Lawinendurchbruch
Integrierte Gatetreiber für IGBT- und MOS-Leistungssysteme
Belastungsgrenzen von Leistungsbipolartransistoren und IGBT für Pulswechselrichter
Netzwerksimulation des Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Geregelte Ansteuerung von insulated gate bipolar Transistoren (IGBT)
Modellierung der parasitären passiven Elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen
Vertikaler IGBT für intelligente Leistungsschalter in SIMOX-Technologie
Ein Beschleunigungsantrieb mit IGBT-Stromrichter und Energiepuffer
Drehgeberlos geregelte Induktionsmaschinen an IGBT-Pulsstromrichtern
IGBT- und Diodenstrukturen für moderne Schaltungskonzepte
Untersuchungen zur Robustheit von IGBT-Chips im Lawinendurchbruch
Untersuchungen zur Robustheit von IGBT-Chips im Lawinendurchbruch
Untersuchungen zur Robustheit von IGBT-Chips im Lawinendurchbruch
Integrierte Gatetreiber für IGBT- und MOS-Leistungssysteme
Belastungsgrenzen von Leistungsbipolartransistoren und IGBT für Pulswechselrichter
Netzwerksimulation des Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Geregelte Ansteuerung von insulated gate bipolar Transistoren (IGBT)
Modellierung der parasitären passiven Elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen
Vertikaler IGBT für intelligente Leistungsschalter in SIMOX-Technologie
Ein Beschleunigungsantrieb mit IGBT-Stromrichter und Energiepuffer
Drehgeberlos geregelte Induktionsmaschinen an IGBT-Pulsstromrichtern
IGBT- und Diodenstrukturen für moderne Schaltungskonzepte
Untersuchungen zur Robustheit von IGBT-Chips im Lawinendurchbruch
Untersuchungen zur Robustheit von IGBT-Chips im Lawinendurchbruch
Untersuchungen zur Robustheit von IGBT-Chips im Lawinendurchbruch
Integrierte Gatetreiber für IGBT- und MOS-Leistungssysteme
Belastungsgrenzen von Leistungsbipolartransistoren und IGBT für Pulswechselrichter
Netzwerksimulation des Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Geregelte Ansteuerung von insulated gate bipolar Transistoren (IGBT)
Modellierung der parasitären passiven Elemente in IGBT-Hochleistungsmodulen