Hochschulschrift
Der Informationsinhalt des Rückstreukoeffizienten von Zweischicht- und Zweistoffsystemen bei Beschuß mit Elektronen im Energiebereich von 10 bis 50 keV
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
4 [Maschinenschr. vervielf.]
- Extent
-
130 gez. Bl. mit Abb.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
Ilmenau, T. H., F. f. math.-naturwiss. Grundlagen, Diss. v. 3. Juli 1970 (Nicht f. d. Aust.)
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 2:18 PM CEST
Data provider
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Object type
- Hochschulschrift
Associated
Time of origin
- 1970
Other Objects (12)
Elektron-Elektronstreuung im Energiebereich von 200 bis 800 keV
Untersuchungen zur Ionen-Elektronen-Emission an Festkörperoberflächen bei Beschuss mit positiven Edelgasionen im Energiebereich von 1,5 bis 25 keV
Messungen zur Ausstrahlungsasymmetrie bei der Erzeugung von Röntgenbremsstrahlung mit transversal polarisierten Elektronen im Energiebereich 50 keV bis 130 keV
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Richtungseffekte der Lichtausbeute von Anthrazen bei Beschuß mit Protonen im Energiebereich 200 bis 600 keV
Untersuchungen rückgestreuter Elektronen an amorphen Al[-Schichten] und Au-Schichten und Al Einkristallen im Energiebereich von 20 keV bis 45 keV
Beitrag zur transporttheoretischen Untersuchung der Tiefenverteilung der primären Ionisationen in dicken Targets bei Beschuss mit Elektronen aus dem Energiebereich unterhalb 30 [dreissig] keV
Experimentelle Untersuchungen zur Wechselwirkung von Mikropartikeln mit Ionen und Elektronen im Energiebereich bis 20 keV
Wirkungsquerschnitte für Neutroneneinfang im Energiebereich von 10-150 keV
Fotonen- und Ionenemission beim Beschuß von Festkörperoberflächen mit Kalium- und Cäsiumionen im Energiebereich zwischen 2 und 10 keV.
Über Sekundärprozesse beim Beschuss von Glasoberflächen mit keV- Edelgasionen
Messung des Bremsvermögens für positive und negative Myonen im Energiebereich von 2 keV bis 80 keV
Elektron-Elektronstreuung im Energiebereich von 200 bis 800 keV
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Messungen zur Ausstrahlungsasymmetrie bei der Erzeugung von Röntgenbremsstrahlung mit transversal polarisierten Elektronen im Energiebereich 50 keV bis 130 keV
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Untersuchungen rückgestreuter Elektronen an amorphen Al[-Schichten] und Au-Schichten und Al Einkristallen im Energiebereich von 20 keV bis 45 keV
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