Hochschulschrift

Entwicklung und Charakterisierung von lateralen Bipolartransistoren auf SOI

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
135 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 1996

Schlagwort
Lateraltransistor
BICMOS
SOI-Technik

Urheber
Sauter, Martin

Inhaltsverzeichnis
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:31 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Sauter, Martin

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