- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783946379430
3946379435
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
xiv, 219 Seiten
- Ausgabe
-
1. Auflage
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Illustrationen
Technische Universität München, Dissertation, 2022
- Erschienen in
-
Selected topics of semiconductor physics and technology ; vol. 243
- Klassifikation
-
Chemie
Elektrotechnik, Elektronik
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Garching
- (wer)
-
Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München e.V.
- (wann)
-
Juni 2022
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:31 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Bartl, Johannes Daniel
- Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München
- Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München e.V.
Entstanden
- Juni 2022
Ähnliche Objekte (12)
GaN nanostructures for photocatalytic applications
PS-PAr3 Hybrid: Metal Complexation and Catalytic Applications
Synthesis and catalytic applications of carbene-functionalized hybrid catalysts
Synthesis and catalytic applications of carbene-functionalized hybrid catalysts
Current Saturation Behavior in GaN Polarization Superjunction Hybrid Diode
Transition-metal-based composite and hybrid nanomaterials for catalytic applications
Short channel GaN FET MMIC technology for high reliability applications
GaN- and VO 2-based nanostructures: physics and photonic applications
Low Resistivity n‐type GaN Ohmic Contacts on GaN Substrates
Analysis and optimization of AlGaN, GaN high electron mobility transistors for microwave applications
Spin injection in MnGa/ GaN heterostructures
Investigation of advanced GaN HEMTs for digital and high frequency applications
GaN nanostructures for photocatalytic applications
PS-PAr3 Hybrid: Metal Complexation and Catalytic Applications
Synthesis and catalytic applications of carbene-functionalized hybrid catalysts
Synthesis and catalytic applications of carbene-functionalized hybrid catalysts
Current Saturation Behavior in GaN Polarization Superjunction Hybrid Diode
Transition-metal-based composite and hybrid nanomaterials for catalytic applications
Short channel GaN FET MMIC technology for high reliability applications
GaN- and VO 2-based nanostructures: physics and photonic applications
Low Resistivity n‐type GaN Ohmic Contacts on GaN Substrates
Analysis and optimization of AlGaN, GaN high electron mobility transistors for microwave applications
Spin injection in MnGa/ GaN heterostructures
Investigation of advanced GaN HEMTs for digital and high frequency applications
GaN nanostructures for photocatalytic applications
PS-PAr3 Hybrid: Metal Complexation and Catalytic Applications
Synthesis and catalytic applications of carbene-functionalized hybrid catalysts
Synthesis and catalytic applications of carbene-functionalized hybrid catalysts
Current Saturation Behavior in GaN Polarization Superjunction Hybrid Diode
Transition-metal-based composite and hybrid nanomaterials for catalytic applications
Short channel GaN FET MMIC technology for high reliability applications
GaN- and VO 2-based nanostructures: physics and photonic applications
Low Resistivity n‐type GaN Ohmic Contacts on GaN Substrates
Analysis and optimization of AlGaN, GaN high electron mobility transistors for microwave applications
Spin injection in MnGa/ GaN heterostructures