- Sprache
-
Englisch
- Umfang
-
II, 106 Seiten
- ISBN
-
978-3-8396-1398-6
- Identifier
-
1178708039
- Reihe
-
Science for systems; Band 38
Thema
Diamant ; Silicium ; Dotierung ; Lumineszenzdiode ; Hochschulschrift
Beteiligte Personen und Organisationen
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf Teile des Objekts ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
16.08.2023, 18:36 MESZ
Objekttyp
- Monografie
Beteiligte
- Tegetmeyer, Björn
- Ambacher, Oliver
- Fraunhofer IRB-Verlag
- Fraunhofer IAF, Freiburg
Ähnliche Objekte (12)
Luminescence properties of SiV-centers in diamond diodes
Switching characteristics of integrated GaN-on-Si half-bridge and driver circuits
Modenverhalten von Quantenkaskadenlasern in miniaturisierten externen Resonatoren
Transfer von AlGaN/GaN-Hochleistungstransistoren auf Diamant
Monolithic millimeter-wave integrated circuits for low-power wireless communication systems with high data rates
Kontaktlose Mikroschalter auf der Basis von Dünnschichten aus Aluminiumnitrid und nanokristallinem Diamant
Analysis, design and experimental evaluation of sub-THz power amplifiers based on GaAs metamorphic HEMT technology
Millimeter-wave tomographic imaging of composite materials
Graphene - from synthesis to the application as a virtually massless electrode material for bulk acoustic wave resonators
Development and evaluation of a GaAs based 300 GHz module
Untersuchung von Rauscheinflüssen auf die präzise Abstandsbestimmung von mmW FMCW-Radaren im Nahbereich
Micro-system: Gallium Nitride RF-broad-band high-power amplifier
Luminescence properties of SiV-centers in diamond diodes
Switching characteristics of integrated GaN-on-Si half-bridge and driver circuits
Modenverhalten von Quantenkaskadenlasern in miniaturisierten externen Resonatoren
Transfer von AlGaN/GaN-Hochleistungstransistoren auf Diamant
Monolithic millimeter-wave integrated circuits for low-power wireless communication systems with high data rates
Kontaktlose Mikroschalter auf der Basis von Dünnschichten aus Aluminiumnitrid und nanokristallinem Diamant
Analysis, design and experimental evaluation of sub-THz power amplifiers based on GaAs metamorphic HEMT technology
Millimeter-wave tomographic imaging of composite materials
Graphene - from synthesis to the application as a virtually massless electrode material for bulk acoustic wave resonators
Development and evaluation of a GaAs based 300 GHz module
Untersuchung von Rauscheinflüssen auf die präzise Abstandsbestimmung von mmW FMCW-Radaren im Nahbereich
Micro-system: Gallium Nitride RF-broad-band high-power amplifier
Luminescence properties of SiV-centers in diamond diodes
Switching characteristics of integrated GaN-on-Si half-bridge and driver circuits
Modenverhalten von Quantenkaskadenlasern in miniaturisierten externen Resonatoren
Transfer von AlGaN/GaN-Hochleistungstransistoren auf Diamant
Monolithic millimeter-wave integrated circuits for low-power wireless communication systems with high data rates
Kontaktlose Mikroschalter auf der Basis von Dünnschichten aus Aluminiumnitrid und nanokristallinem Diamant
Analysis, design and experimental evaluation of sub-THz power amplifiers based on GaAs metamorphic HEMT technology
Millimeter-wave tomographic imaging of composite materials
Graphene - from synthesis to the application as a virtually massless electrode material for bulk acoustic wave resonators
Development and evaluation of a GaAs based 300 GHz module
Untersuchung von Rauscheinflüssen auf die präzise Abstandsbestimmung von mmW FMCW-Radaren im Nahbereich