Hochschulschrift

Untersuchung von GaAs/GaAlAs-Heterojunction, Bipolarstrukturen für I2L-Schaltungen [IL-Schaltungen]

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
III, 118 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Ill., graph. Darst.
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1986

Urheber
Narozny, Peter

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:22 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Narozny, Peter

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