Modellierung von Quanteneffekten in einem ladungsbasierten MOS-Transistor-Modell zur Simulation von nanoskalierten CMOS-Analogschaltungen
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
-
Modellierung von Quanteneffekten in einem ladungsbasierten MOS-Transistor-Modell zur Simulation von nanoskalierten CMOS-Analogschaltungen ; volume:7 ; year:2009 ; pages:185-190
Advances in radio science ; 7 (2009), 185-190
- Urheber
-
Stegemann, S.
Xiong, J.
Mathis, W.
- DOI
-
10.5194/ars-7-185-2009
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2018010216892
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:33 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Stegemann, S.
- Xiong, J.
- Mathis, W.
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