Hochschulschrift
Advanced modeling of AlGaN, GaN HEMTs and Si power MOSFETs for switched-mode applications and electromagnetic interference simulation
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783938184080
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
X, 164 S.
- Ausgabe
-
1. ed.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2012
- Klassifikation
-
Elektrotechnik, Elektronik
- Schlagwort
-
HEMT
Galliumnitrid
Schaltverstärker
Mikrowellentransistor
Streumatrix
Parameteridentifikation
Simulation
MOS-FET
Schaltverstärker
Mikrowellentransistor
Streumatrix
Parameteridentifikation
Elektromagnetische Verträglichkeit
Simulation
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Weiler bei Bingen
- (wer)
-
Lautensack
- (wann)
-
2013
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:20 MESZ
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Lautensack, Christian Marc
- Lautensack
Entstanden
- 2013
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