Electrical Properties of Midwave and Longwave InAs/GaSb Superlattices Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
-
1556-276X
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
online resource.
- Erschienen in
-
Electrical Properties of Midwave and Longwave InAs/GaSb Superlattices Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy ; volume:13 ; number:1 ; day:5 ; month:7 ; year:2018 ; pages:1-7 ; date:12.2018
Nanoscale research letters ; 13, Heft 1 (5.7.2018), 1-7, 12.2018
- Klassifikation
-
Physik
- Urheber
-
Benyahia, D.
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Kubiszyn, Ł
Michalczewski, K.
Boguski, J.
Kębłowski, A.
Martyniuk, P.
Piotrowski, J.
Rogalski, A.
SpringerLink (Online service)
- DOI
-
10.1186/s11671-018-2612-4
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2018091622505909089468
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:27 MESZ
Datenpartner
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Beteiligte
- Benyahia, D.
- Kubiszyn, Ł
- Michalczewski, K.
- Boguski, J.
- Kębłowski, A.
- Martyniuk, P.
- Piotrowski, J.
- Rogalski, A.
- SpringerLink (Online service)
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